半导体行业通过使用现场清洗CVD 反应器的气体c-C₄F₈（八氟环丁烷）替换C₂F₆，以降低PFC 排放的项目活动。

1、项目启动前生产线至少运营三年，并且期间原始PFC气体为C₂F₆；

2、项目开始前是临时储存替代PFC气体，没有后续销毁；

3、不适用于为了销毁PFC特别使用消除装置的工艺。

1、项目中清洗运转c-C₄F₈ 消耗量；

2、项目中产生基片的表面面积；

3、替代工艺中CVD产生的 c-C₄F₈排放量和消耗量；

4、替代工艺中CVD产生的CF₄副产品排放量；

5、替代工艺进入和排出消除装置的气体浓度；

6、清洗运转期间CVD 反应室沉积的薄膜的厚度；

7、项目中不同清洗工艺的数量；

8、替代工艺中排放系数平均值和标准差。

本CCER方法学工具简表参考CDM方法学手册。