现有半导体生产设施安装催化氧化设备（减排系统）以减少CF₄ 气体排放的项目。

1、在2010 年1月31日前有至少三年采购CF₄、以及半导体衬底库存和产量的信息

的现有生产线，且未安装减排设备、CF₄直排到空气中；

2、没有法律强制要求分解、减排、回收或替换 CF_4，或包含CF₄的排放气体中的

任何组成部分；

3、不适用于减少化学气相沉淀（CVD）工艺PFC 排放的项目；

4、不允许使用除CF₄以外的刻蚀气。

1、项目中CF₄消耗量；

2、项目中半导体衬底产量；

3、不同监测区间添加到导管的氦气校准流速及校准后浓度；

4、不同监测区间进、出减排系统氦气浓度（无需注入校准氦气）；

5、不同监测区间进、出系统的CF₄浓度；

6、不同区间的MFC温度；

7、化石燃料、电力消耗产生的项目排放。

本CCER方法学工具简表参考CDM方法学手册。